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结果: 找到相关主题 6496 个
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变压器在电源技术中的作用
变压器是电磁能量转换器件，根据电磁感应原理制作而成。变压器的最基本形式，包括两组绕有导线的线圈，并且彼此电感方式耦合在-起。当一个交流电流（具有某一已知频率）在其中一组线圈中流动时，在另一组线圈中将感应出具有相同频率的交流电压，而感应电压的大...www.kiaic.com/article/detail/184.html 2021-01-20
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怎样如何判断二极管好坏
正、负极性判别（看）。高频变阻快恢复二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色小同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻快恢复二极管的色标颜色则为浅绿色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环的一端为正极。www.kiaic.com/article/detail/130.html 2021-01-20
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接触器的常用电路图讲解和实物图-电子电工电路图详解-KIA MOS管
电路图讲解和实物图：接触器的常用接线电路图和实物图，从简单到复杂。www.kiaic.com/article/detail/1224.html 2021-01-20
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教你用示波器测试MOS管功率损耗|必看-KIA MOS管
MOSFET/IGBT的开关损耗测验是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么如何用示波器测试MOS管功率损耗？www.kiaic.com/article/detail/2598.html 2021-01-20
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关于对MOS管速度饱和的理解分析-KIA MOS管
MOS管速度饱和:一般而言，载流子速度正比于电场，斜率是载流子的迁移率；可当延沟道电场达到临界值（某个根据散射效应计算的值）时，载流子的速度将会趋于饱和，称为速度饱和效应。此时的载流子速度不会随着电场增大而增大。www.kiaic.com/article/detail/2597.html 2021-01-20
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干货|如何选取用于热插拔的MOS管-KIA MOS管
MOS管-热插拔：当电源与其负载突然断开时，电路寄生电感元件上的大电流摆动会产生巨大的尖峰电压，对电路上的电子元件造成十分不利的影响。与电池保护应用类似，此处MOSFET可以将输入电源与其他电路隔离开来。www.kiaic.com/article/detail/2596.html 2021-01-20
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关于MOS管coss产生损耗的图文分析-KIA MOS管
功率MOS管Coss会产生开关损耗，在正常的硬开关过程中，关断时VDS的电压上升，电流ID对Coss充电，储存能量。在MOS管开通的过程中，由于VDS具有一定的电压，那么Coss中储能的能量将会通过MOSFET放电，产生损耗。www.kiaic.com/article/detail/2595.html 2021-01-19
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电路知识|如何防止反向电流损害-KIA MOS管
反向电流损害：外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。www.kiaic.com/article/detail/2594.html 2021-01-19
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什么是MOS管栅极悬空？MOS管栅极不能悬空！-KIA MOS管
MOS管栅极悬空：MOS管经常用于电路的开关控制，通过改变栅极(gate)的电压来使漏级(drain)和源级(source)导通或截断。下面就是一个常见的开关电路。Vg输入高时，N管会导通，使得P管的栅极为低，P管的DS导通。www.kiaic.com/article/detail/2593.html 2021-01-19
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MOS管DS波形图文解析-KIA MOS管
MOS管DS波形：假设在一台数字示波器上只看到这一点波型,知道变压器电感量为1mH,通过从示波器上测量和计算,得出下列数值。（1）大约的交流输入电压值（2）次级反到初级的电压www.kiaic.com/article/detail/2592.html 2021-01-18
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MOS管与非门及或非门构成原理解析-KIA MOS管
MOS管与非门：与非门（英语：NANDgate）是数字逻辑中实现逻辑与非的逻辑门，功能见左侧真值表。若当输入均为高电平（1），则输出为低电平（0）;若输入中至少有一个为低电平（0），则输出为高电平（1）。与非门是一种通用的逻辑门，因为任何布尔函数都能用与非门...www.kiaic.com/article/detail/2591.html 2021-01-18
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氮化镓MOS管与碳化硅MOS管的结构、性能差异分析-KIA MOS管
氮化镓MOS管与碳化硅MOS管的结构、性能差异：作为第三代功率半导体的绝代双骄，氮化镓MOS管和碳化硅MOS管日益引起工业界，特别是电气工程师的重视。之所以电气工程师如此重视这两种功率半导体，是因为其材料与传统的硅材料相比有诸多的优点，如图1所示。www.kiaic.com/article/detail/2590.html 2021-01-18
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薄膜场效应管介绍及结构解析-KIA MOS管
薄膜场效应管解析：场效应管是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件,这种器件不但具有一般半导体三极管体积小、重量轻、耗电省、寿命长等特点,而且还有输入阻抗高、噪声低(0.5-1dB)、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单等特点，因而其应用范围非...www.kiaic.com/article/detail/2583.html 2021-01-15
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KIA65R700超结场效应管|参数规格|原厂直销-KIA MOS管
KIA65R700超结场效应管，650V7A，这种功率MOSFET是使用KIA半导体先进的超结技术生产的。这先进的技术已特别定制，以减少传导损耗，提供卓越的开关性能优异，可在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合于交流/直流功率转换的开关模式操作，以获得更高...www.kiaic.com/article/detail/2589.html 2021-01-15